
掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀(SEM/EDS)
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技術指標
二次電子分辨率:1.0nm(15 kV); 2.0 nm(1 kV)背散射電子分辨率:3.0 nm(15 kV)
電子槍:冷場發射電子源
加速電壓:0.5~30 kV(0.1 kV/步,可變)
放大倍率:×30 ~ ×800,000。
X射線能譜儀的元素分析范圍為Be4~U92。