（1）可能原因：陰極電流密度過大

處理方法：a.準確計算工件受鍍面積，合理設定電流值(Dk=40～60A/dm²)；

b.適當提高鍍液溫度，充分考慮溫度與電流密度的匹配。

（2）可能原因：硫酸含量過低

原因分析：鉻酐的水溶液是鉻酸，是鉻鍍層的唯一來源。實踐證明，鉻酐的濃度可以在很寬的范圍內變化。例如，當溫度在45～50℃，Dk=10A/dm²時，鉻酐濃度在50～500g/L范圍內變化，甚至高達800g/L，均可獲得光亮鍍鉻層。一般生產中采用的鉻酐濃度為150～400g/L之間。鉻酐的濃度對鍍液的電導率起決定性作用，鍍液溫度升高，電導率隨鉻酐濃度增加向稍高的方向移動。因此，單就電導率而言，宜采用鉻酐濃度較高的鍍鉻液。但采用高濃度鉻酸電解液時，由于隨工件帶出損失嚴重，不僅造成材料的浪費，更主要的是會造成嚴重的環境污染。而低濃度鍍液對雜質金屬離子比較敏感，覆蓋能力較差。鉻酐濃度過高或過低都將使獲得光亮鍍層的溫度和電流密度的范圍變窄。鉻酐濃度低的鍍液陰極電流效率較高，多用于鍍硬鉻。較濃的鍍液主要用于裝飾電鍍，鍍液的性能雖然與鉻酐含量有關，最主要的取決于鉻酐和硫酸的比值。一般控制Cr0₃:SO₄^2-=(80～100):1，最佳值為100:1。當SO₄^2-含量過高時，對膠體膜的溶解作用強，基體露出的面積大，真實電流密度小，陰極極化小，得到的鍍層不均勻、發花，特別是工件凹處還可能露出基體金屬。當SO₄^2-含量過低時，陰極表面只有很少部位的膜被溶解，即成膜的速度大于溶解的速度，鉻的析出受阻或在局部地區放電長大，所以，鍍層發灰粗糙，光澤性差。

處理方法：分析調整鍍液成分，并控制Cr0₃:SO₄^2-=100:1

（3）可能原因：陰陽極間距太近

原因分析：提高鍍層的均勻性，只有改變初次電流分布，即改變幾何因素來提高鍍層的均勻性，下面談談改變幾何因素的措施:

 ①采用象形陽極。象形陽極與陰極的距離相等，在陰極上電流分布均勻，但該陽極制作成本高，加工難度大，制作時要充分考慮到下列因素：陽極形狀、合金成分、鍍液流通和交換以及上、下部工件的屏蔽問題。

 ②采用屏蔽陰極。對于不能采用象形陽極的工件，可用非金屬材料(如塑料)屏蔽陰極的高電流密度區，使電流向低電流密度區分布，從而保證整個工件表面電流分布趨于一致。屏蔽陰極距陰極的距離越小，其屏蔽效果越好。

 ③增大陰陽極距離，合理布置陽極。陰陽極距離加大，使得零件的凸凹處距陽極的相對距離差縮小，可以使電流分布因零件形狀差異的影響變小，當然陰陽極距離的加大，將導致槽壓升高。合理地布置陽極可以將邊角等高電流密度區的電流減小，使中、低電流密度區的電流加大，整個工件的電流分布更趨向均勻。一般陰極與陽極間距在200～300mm之間。

 ④采用旋轉陰極。當工件圍繞陰極中軸作一個方向的旋轉時，工件各面與陽極的距離在不斷變化，由于這種變化是周期性的，使工件上電流分布的大小機會均等。但采用旋轉陰極，必須保證陰極導電軸與掛具的導電良好。

 ⑤采用輔助陽極。對于形狀復雜的工件，采用輔助陽極來縮短工件低電流密度區與陽極之間的距離，從而使低電流密度區的電流增大。

 ⑥采用沖擊電流施鍍。對于形狀復雜或表面多孔的工件鍍鉻，采用沖擊電流使工件低電流密度區沉積上一層鉻，氫在鉻層上的超電壓上升，轉入正常電鍍時，該區域氫的析出量減少，使鉻析出增加，來改善鍍層的均勻性。沖擊電流是正常電鍍電流的l．5～2倍，時間為10～20s。

處理方法：控制陰極與陽極間距離大于200mm，使工件的相對幾何尺寸縮小，保證陰極電力線分布均勻。

（4）可能原因：工件凸凹處未使用陰極保護

原因分析：同（3）的原因分析

處理方法：采用陰極保護，合理布置陽極。